近日，李林松教授课题组的研究成果《High-efficiency, deep blue ZnCdS/Cd_xZn_1−xS/ZnS quantum-dot-light-emitting devices with an EQE exceeding 18%》在Nanoscale上发表。Nanoscale, 2018,10, 5650-5657.（SCI一区，IF=7.367）

文章链接：http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/nr/c7nr09175c#!divAbstract

该工作主要在前期合成量子产率大于90%的蓝色ZnCdS/ZnS核壳结构量子点的基础上，通过在生长壳层时混入Cd(OA)₂，设计合成了以固定组分ZnCdS为核，具有比核的带隙稍大的中间合金层Cd_xZn_1−xS以及超薄最外层ZnS的多壳层核壳结构量子点。该结构量子点的荧光量子产率高达100%，具有良好的单分散性和均一性。更重要的是，与ZnCdS/ZnS核/壳量子点相比，ZnCdS/Cd_xZn_1-xS/ZnS核/壳量子点具有良好的化学/光化学稳定性和更高效的载流子传输性能。通过设计均匀的合金结构Cd_xZn_1−xS作为量子点的中间壳层,可以将激子有效的限制在core内，提高量子点的荧光量子产率的同时，还降低了HTL与发光层之间的界面势垒以及载流子注入到量子点内部的势垒，以提高电荷注入到量子点内部的效率。通过在量子点的最外层生长超薄的ZnS，它不会影响QLEDs中电荷的注入效率，但在高温反应下可以有效的降低ZnCdS/Cd_xZn_1−xS受到有机/无机界面处缺陷的干扰，从而保持量子点的稳定性。

将ZnCdS/ZnS和ZnCdS/Cd_xZn_1-xS/ZnS两种结构量子点结合到QLED中作发光层，研究显示，Cd_xZn_1-xS中间合金层的存在对器件性能产生了深远影响，其器件表现出的最大h_EQE超过了18%，最大亮度高达6768cd/m²，并且具有3.4cd/A的电流密度和低效率滚降。结果表明，这种新颖结构的量子点比具有单个厚ZnS壳层量子点的电荷注入效率更高。高效率和高亮度的结合，使具有中间合金层（比核的带隙稍大，但其厚度适中）以及超薄最外层（<1nm）的多壳层核壳结构量子点成为新一代发光材料。