最近，杜祖亮教授课题组报道了使用无机/有机叠层空穴传输层，解决了当无机氧化物用作空穴传输层时量子点发光二极管（QLED）不能同时实现高效率和寿命的问题。该研究工作发表在ACS Appl. Mater. Interfaces, 2018, 10.1021/acsami.8b00770 (SCI, IF=8.097).

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.8b00770

尽管化学稳定的金属氧化物（MO）作为PEDOT：PSS的替代品已成功用于改善溶液法制备的量子点发光二极管（QLED）中的器件稳定性，但QLED的效率处于相对较低的水平。在这项工作中，引入了一种新的QLED结构，其中通过在PEDOT：PSS和ITO阳极之间插入非晶WO₃中间层来精细地设计无机/有机双层空穴注入层（HIL）。因此，QLED的效率和操作寿命同时得到改善。结果表明，新型结构QLED相对于传统的基于PEDOT：PSS的QLED具有增强的外量子效率（EQE）50％，从8.31％增加到12.47％，同时表现出相对较长的操作寿命（12551小时）和高的最大亮度（> 40 000 cd m^-2），这是由于HIL的阶梯能级引起的更好的空穴注入和表面粗糙度的降低。结果表明，使用双层MO/PEDOT：PSS HIL的新型结构QLED可以在不牺牲效率的情况下实现长的使用寿命。