报告题目： Status and Outlook of STT-MRAM Technology

报告人：   闵泰 教授

工作单位： 西安交通大学材料科学与工程学院

报告时间：2017年02月17日（星期五）上午11：00-12:00

报告地点：特种功能材料重点实验室二楼会议室

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报告人简介：

闵泰，教授，1985年中国科学技术大学物理系学士，1993年美国明尼苏达大学电机系博士。就职于西安交通大学材料科学与工程学院。

主要经历：1993年至2015年：22年国际一流大型企业工作经历，任资深总监；多成功首次研发出国际，领先新型产品（ IBM外业界第一款AMR磁记录头产品，世界第一款自旋阀磁记录头产品, STT-MRAM专家）；成功地组建并领导了IMEC业界领先的sub-20nm 垂直式STT-MRAM及sub-5nm Spintronics技术的研发 (第一次在IMEC300mm中试线做出存储芯片,发表了IMEC第一篇有关STT-MRAM IEDM paper 2014)；成功地组织并领导了TDK业界领先新型STT-MRAM产品的研发和产品化；主管MRAM产品的设计、模拟、测试、封装、生产、质检、客户支持等部门和项目；组建，招聘，培训MRAM产品设计，测试，质检和客户支持等部门；拥有72项美国专利，国际著名期刊上发表文章30多篇。

主要研究方向：自旋电子学；新型存储器；磁性纳米生化检测等。