近期，QLED平台在蓝光量子点发光二极管领域取得新进展，相关成果以“Interfacial Passivation Engineering for Highly Efficient Quantum Dot Light-Emitting Diodes via Aromatic Amine-Functionalized Dipole Molecules”为题，以Research Article形式在国际主流期刊《纳米快报》（Nano Letters）上发表。目前该杂志影响因子为10.8，JCR分区一区。论文链接：https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.3c04229

蓝光QLED器件的电致发光效率和寿命是目前限制其商业化发展的关键瓶颈。量子点（QD）表面的悬挂键缺陷（S、Zn悬挂键）以及电荷注入不平衡诱导的非辐射复合限制了器件效率和寿命。尤其高电流密度下，电荷不平衡加剧，器件产生大量焦耳热，这些因素导致严重的效率滚降，并且影响器件寿命。

图1. CF₃-PEAI-QD基QLED器件EQE-L特性；器件结构和CF₃-PEAI分子静电势分布。

针对以上问题，QLED平台采用一系列芳香胺功能化的偶极分子PEAI，F-PEAI和CF₃-PEAI界面修饰QD，以钝化其表面悬挂键缺陷。结果表明，引入F原子能够调控分子极性，分子极性越强，对QD缺陷钝化作用越明显，这一过程能够抑制激子猝灭，提升QD稳定性及器件效率。此外，偶极层能够减少高电流密度下的电子注入，促进电荷平衡，减少器件中焦耳热的产生，抑制效率滚降，提升器件寿命。优化后的器件实现了21.02%的EQE以及T₅₀ @100 cd m^-2寿命超过4000小时。本实验为实现高效率长寿命蓝光QLED提供了一种新的思路。

博士研究生蔡粉沙为论文第一作者，杜祖亮教授、王书杰教授和李萌教授为通讯作者。本工作得到国家自然科学基金委、河南省科技厅和河南大学的大力支持。