最近，杜祖亮教授课题组报道了利用双层胶剥离技术结合纳米压印构筑100纳米以下间距可控的纳米电极的工作，这种改进的纳米压印技术为我们提供了一种大面积，低成本制备间距可控的纳米电极的方法，有望为纳米电子学的发展起到一定的促进作用。该研究工作发表在Nanotechnology（2015，26，185301，SCI二区，IF=3.821）上。http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0957-4484/26/18/185301

我们在传统的纳米压印技术中引入了双层胶剥离技术（PMGI和PMMA共同作为转移层）来构筑100纳米以下间距可控的纳米电极。首先通过纳米压印技术在上转移层PMMA上得到等比例的纳米电极图案，然后通过对下转移层PMGI显影时间和显影液浓度的控制来调控其特征尺寸的大小，最终达到电极间距可控的目的。结果分析表明，在对下转移层显影过程中会出现“undercut”现象，通过控制“undercut”的尺寸可以有效的缩小和调控纳米电极的间距。电极模板的间距分别为800 nm，400 nm，200 nm，100 nm的电极经过纳米压印和双层胶剥离以后，其电极间距可控，并且最小电极间距可分别缩小为440 nm，120 nm，80 nm，70 nm, 同时电极的转移厚度也得到了极大的提高（150 nm）。通过这种改进的纳米压印技术可以用来制备间距可控的纳米电极，且电极的尺寸特征不再受限于模板的尺寸特征，大大降低了纳米压印技术的成本，有望为纳米电子学的发展起到有益的促进作用。