武四新课题组在前期工作的基础上，通过改进硒化方式和硒化条件，成功去除了Cu(In,Ga)(S,Se)₂中的小粒子层，获得了大晶粒贯穿的吸收层，从而降低了薄膜太阳能电池的串联电阻，并获得了11.8%的光电转换效率，且具有较好的重现性。该研究成果发表在Journal of Materials Chemistry A，2016, 4, 13476-13481 (SCI一区，IF=8.262 )。文章链接：http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/ta/c6ta05728d#!divAbstract

非肼溶液法制备Cu(In,Ga)(S,Se)₂太阳能电池对环保及操作安全上都具有明显的优势。然而，介于大晶粒吸收层与钼背电极之间的小粒子层成为太阳能电池光电转换效率进一步提高的主要障碍。本课题采用乙二胺和乙二硫醇作为溶剂，金属硫属化合物作为金属源来制备Cu(In,Ga)(S,Se)₂吸光层材料。该路线避免了杂质元素的引入，同时采用改进了硒化方法，成功获得了大晶粒贯穿的吸收层，这对于吸收层质量的提高具有重要意义。