2007年10月22日至26日,第三届全国氧化锌学术研讨会暨国际氧化锌学术会议在浙江大学召开。实验室从事ZnO材料相关研究的12名博士和高年级硕士参加了本次学术研讨会,并有9人在会议期间做了口头报告.会议交流了我国氧化锌研究领域近年来的最新成果，并探讨了世界ZnO研究最新动态及未来走向。会议期间实验室与会人员与来自全国的ZnO材料研究研究的专家学者们进行了广泛的和交流，取得了很好的效果。

ZnO是一种直接宽带隙半导体，是下一代节能固体照明新材料。同时它又是透明导电薄膜、紫外探测器等重要材料，在光电信息技术领域具有重大潜在应用价值，是目前国际的研究热点。2003年始，我国每两年召开一届氧化锌专题学术会议，本届大会首次增设了国际氧化锌发展论坛。

大会邀请了国内半导体著名专家郑有炓院士，国际ZnO研究权威美国D. C. Look教授、S.B.Zhang等10多位国际著名学者作大会邀请报告。来自国内、美国、日本、新加坡、台湾等专家学者共180余人参加了本次会议。